【摘 要】
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利用场依赖的迁移率模型的二维数值模拟,对硼掺杂的纳米管MOSFET的输运特性进行了研究。研究结果表明B 掺杂浓度越高,导电性越好；这主要来源于高浓度的掺杂提高了导电的载
【机 构】
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东华大学应用物理系,上海201620
【出 处】
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第16届全国凝聚态光学性质学术会议
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利用场依赖的迁移率模型的二维数值模拟,对硼掺杂的纳米管MOSFET的输运特性进行了研究。研究结果表明B 掺杂浓度越高,导电性越好；这主要来源于高浓度的掺杂提高了导电的载流子浓度,从而提高了迁移率。另外,纳米管Si 壳层的厚度越大,长度越短,导电性也就越好。对于P 型沟道器件,当栅压大于0,SiO2 越厚导电性越好；当栅压小于0,SiO2 越薄导电性越好,我们的理论结果定性的与实验结果符合的很好；最后我们给出了理论上较为理想的器件模型结构和相应的参数,希望对器件的制造有指导作用。
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