【摘 要】
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二硼化镁(MgB2),由于具有较高的超导转变温度(～39K)和晶界处无弱连接作用等特点,是制备射频超导加速腔理想的备选材料之一.相比于传统的超导铌腔,MgB2有更低的BCS表面电阻
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二硼化镁(MgB2),由于具有较高的超导转变温度(～39K)和晶界处无弱连接作用等特点,是制备射频超导加速腔理想的备选材料之一.相比于传统的超导铌腔,MgB2有更低的BCS表面电阻和较高的热力学临界磁场.因此,MgB2薄膜型超导腔有希望得到更高的品质因数和加速梯度.本文介绍了利用混合物理化学气相沉积(HPCVD)法在铌衬底上制备直径5cm的大面积MgB2薄膜样品.薄膜厚度约1.2 μm,样品不同位置点测得的超导转变温度Tc(onset)在38.4-40.6 K之间.薄膜的临界电流密度Jc(0,10K)为4×104A/cm2,上临界磁场Hc2(0)达到了10.6T.直径5cm的MgB2薄膜样品的制备为薄膜射频性能的测试和研究提供了基础.
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