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该文利用化学腐蚀光学显微镜观察、Ｘ射线双晶衍射和透射电子显微镜（ＴＥＭ）对重掺锑、重掺硼硅单晶在热处理过程中的氧沉淀行为进行了研究，讨论了掺杂剂对氧沉淀成核的影响。
重掺杂硅单晶中氧沉淀的研究
【摘 要】
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该文利用化学腐蚀光学显微镜观察、Ｘ射线双晶衍射和透射电子显微镜（ＴＥＭ）对重掺锑、重掺硼硅单晶在热处理过程中的氧沉淀行为进行了研究，讨论了掺杂剂对氧沉淀成核的影响。
【机 构】
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工业大学(天津)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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