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本文在传统的注入效率可控的(IEC)-GCT 结构中,通过n 扩散层的掩蔽作用引入了一种波状的p 基区结构。利用ISE 软件模拟了该波状p 基区IEC-GCT 器件在常温和高温下的静、动态特性,并与传统的IEC-GCT 器件进行了比较分析。最后讨论了器件的制作工艺和关键参数的设计方法。结果表明,该波状p 基区IEC-GCT 器件不仅具有比传统的 IEC-GCT 更优良的通态特性和关断特性,而且制作工艺简单。