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用氦离子等离子附助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究结果发现，PAMBE外延层有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮灭方法研究了这一外延层，测量结果说明这些特性与等离子体造成的缺陷及缺陷随温度变化有直接关系。
用正电子湮灭方法研究氦离子等离子体附助分子束外延InP(InGaAsP)InP结构
【摘 要】
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用氦离子等离子附助分子束外延(PAMBE)方法生长了InP(InGaAsP)/InP结构。研究结果发现，PAMBE外延层有很高的电阻率和很快的光反应特性。用慢正电子湮灭方法研究了这一外延层，测
【机 构】
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天津师范大学物理系
【出 处】
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全国第七届正电子湮没学术会议
【发表日期】
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1999年4期
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