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质子辐照电子元器件可同时导致总剂量效应与位移损伤.针对某国产CCD器件,进行了3MeV和10MeV质子辐照和退火实验,试验过程中重点考察了器件的暗电流退化情况.两种能量的质子辐照均导致暗电流明显退化,退火过程中参数也都有不同程度的恢复.但是在相同辐照注量下,3MeV质子辐照诱发的总剂量效应更明显,而10MeV质子辐照则主要表现为位移损伤效应.对两种能量质子辐照在CCD引起的缺陷及演化过程进行了分析.相关研究可为CCD质子辐照试验方法与评估技术的建立提供重要参考.