论文部分内容阅读
石墨烯的异质结具有广泛的应用前景,其电子性质会受到异质结的构筑材料及结构等因素的影响。而晶体中普遍存在的各向异性对石墨烯的电子性质的影响的研究目前仍然比较少。我们利用扫描隧道显微镜(STM)和扫描隧道谱(STS)的方法,研究了六方氮化硼(h-BN)单晶基底上的单层石墨烯在低温、强磁场下的电子特性。