磁控溅射氧化钒薄膜的研究

• 作 者: 吴志明 蒋亚东 牟宏 谢光忠 王波
• 机 构: 电子科技大学信息材料工程学院(四川成都)
• 出 处: 第四届中国功能材料及其应用学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 反应磁控溅射 氧化钒薄膜 工艺条件 电阻温度特性 较低温度 溅射沉积 工艺制备 工艺参数 成膜工艺 电特性 样品 控制 金属 方阻 靶材

本文讨论了在低温磁控溅射沉积氧化钒薄膜的特性,采用金属钒作为靶材,利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜,在适当的Ar:O比例条件下,通过改变溅射总压,溅射时间,溅射温度等工艺参数,探索了氧化钒的成膜工艺.并分析了不同工艺条件对薄膜方阻,薄膜电阻温度特性的影响.最后对样品进行了XPS分析,结果表明适当控制溅射氧化钒的工艺条件可以在较低温度下形成VOx,并具有较好的电特性.