多孔硅光伏特性的研究

• 作 者: 李旦振 陈顺玉 付贤智
• 机 构: 福州大学光催化研究所(福建福州)
• 出 处: 第四届中国功能材料及其应用学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 多孔硅 工艺条件 腐蚀时间 腐蚀电流密度 表面光电压谱 电化学腐蚀 单晶硅片 表面光伏特性 荧光光谱 氧化技术 吸收光谱 应用 阳极 程度

采用电化学阳极氧化技术在P型单晶硅片上形成一层多孔硅(PS)层,应用表面光电压谱(SPS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同的制备工艺条件对多孔硅表面光伏特性的影响.研究结果发现,多孔硅的光电压相对于单晶硅有很大程度的提高,与电化学腐蚀的电流密度、腐蚀时间等工艺条件有关,存在最佳的腐蚀电流密度、腐蚀时间.