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该文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力和应力梯度与退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验结果。研究了不同结构组成对复合膜内应力和应力梯度的影响。
复合薄膜应力和应力梯度控制研究
【摘 要】
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该文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力和应力梯度与退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验结果。研究了不同结构组成对复合膜内应力和应力梯度的影响。
【机 构】
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北京大微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2000年10期
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