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该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明，金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料。具有尖端表面场发射阀值电压低于平坦表面的值。
金刚石膜场发射性质的研究
【摘 要】
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该文研究了CVD金刚石膜场发射性质。金刚石膜是利用热灯丝化学气相沉积法制备的。实验研究表明，金刚石膜场发射阀值电压强烈的依赖于金刚石膜表面结构、杂质与缺陷和衬底材料
【机 构】
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大学应用物理系
【出 处】
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第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
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1998年期
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