【摘 要】
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软磁薄膜材料与器件是近期国际国内电子器件实现"小、轻、精、薄"的热点.本文采用独特的快速循环纳米晶化技术,在不同的纳米晶化工艺条件下,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr
【出 处】
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2002年全国电子测控工程学术年会
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软磁薄膜材料与器件是近期国际国内电子器件实现"小、轻、精、薄"的热点.本文采用独特的快速循环纳米晶化技术,在不同的纳米晶化工艺条件下,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.使CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),电阻率减小10~30﹪,发现460℃时薄膜电阻率发生突变,共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.
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