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窄带隙半导体掺杂是探索新超导材料的方法之一.我们近期在层状正交结构材料CsPbxBi4-xTe6(0.3≤x≤1.0)中通过调节Pb含量发现超导电性，该材料的层状结构由阴离子层[PbxBi4-xTe6]-间插入阳离子Cs+构成，为典型热电材料体系.
正交相热电材料CsPbxBi4-xTe6(0.3≤x≤1.0)中的超导电性研究
【摘 要】
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窄带隙半导体掺杂是探索新超导材料的方法之一.我们近期在层状正交结构材料CsPbxBi4-xTe6(0.3≤x≤1.0)中通过调节Pb含量发现超导电性，该材料的层状结构由阴离子层[PbxBi4
【机 构】
：
中国科学院物理研究所,北京 100190
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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