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  5. 射频功率对ICPECVD制备类金刚石薄膜过程的影响

射频功率对ICPECVD制备类金刚石薄膜过程的影响

来源 :中国电子学会真空电子学分会第七届真空技术应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leiyang000
【摘 要】
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采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)成功地制备了硬质类金刚石薄膜.对沉积获得的类金刚石膜进行努氏显微硬度测量及傅立叶转换红外光谱(FTIR)和喇曼谱(Raman)测试、扫描电子显微镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)观察与分析.分析结果表明射频功率对类金刚石膜沉积过程及薄膜性质都有显著影响.
【作 者】
：
俞世吉 马腾才 
【机 构】
：
中国科学院电子学研究所(北京) 大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室(大连)
【出 处】
：
中国电子学会真空电子学分会第七届真空技术应用学术会议
【发表日期】
：
2002年12期
【关键词】
：
感应耦合等离子体 化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 
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采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)成功地制备了硬质类金刚石薄膜.对沉积获得的类金刚石膜进行努氏显微硬度测量及傅立叶转换红外光谱(FTIR)和喇曼谱(Raman)测试、扫描电子显微镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)观察与分析.分析结果表明射频功率对类金刚石膜沉积过程及薄膜性质都有显著影响.
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