The influence of post annealing on structure and electronic characteristics of HfSiO(N) dielectrics

来源 :第十五届全国等离子体科学技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mem12345

【摘要】

：

HfSiO(N) films were prepared on Si substrates by using dual ion beam sputtering deposition (DIBSD).Structure and electronic properties of the film with different annealing temperature were investigate

【作者】

：

X.M. Yang X.M. Wu L.J. zhuge H.Y.Zhang C.G.Jin F.Wang

【机构】

：

Department of Physics,Soochow university,Suzhou215006,China;The Key La boratory of Thin Films of jia

【出处】

：

第十五届全国等离子体科学技术会议

【发表日期】

：

2011年3期

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