论文部分内容阅读
该文用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明：随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大。长寿命（正电子素）成份较少。扫描电子显微镜观察到部分单晶球脱离后形成的微米抗。并对结果进行了分析。
阳极氧化法制备多孔硅中的正电子湮没及扫描电子显微镜研究
【摘 要】
：
该文用正电子湮没技术和扫描电子显微镜研究了阳极氧化法制备的多孔硅材料。正电子湮没实验表明：随着阳极氧化时间的延长，平均寿命值增大。长寿命（正电子素）成份较少。扫描电子显
【机 构】
：
中科院高能物理所核分析室
【出 处】
：
全国第七届正电子湮没学术会议
【发表日期】
：
1999年4期
其他文献
由北京天则经济研究所,北京大象文化有限公司和中央电视台经济部联合策划的10集电视新闻政论片预定在九月份作为《经济半小时》的特别节目中播出。本片的目标是创作出经济专
为了对大立体角甚至是4π立体角（在介质内测量）入射的中子谱进行测量，设计制造了球形阴极含氢正比计数管。实验用静电加速器T（p·n）[**]He、[**]Li（p·n）[**]Be反应产生的单能中子。
测量了TiAl、TiAlZr和TiAlNb的正电子寿命谱。结果表明，TiAl合金的基体电子密度比金属Ti和金属Al基体的低，TiAl合金中金属键和共价键共存。TiAl合金晶界缺陷的开空间大于Al空位
该文利用拉普拉斯逆变换和最大熵原理两种国际最新流行的方法分析了半导体材料中的正电子寿命谱，通过测量正电子寿命的连续分布，鉴别了两种化合物半导体GaAs和InP中的缺陷，结果
该文分别使用正电子寿命方法与超声衰减方法对金属铝和钢疲劳样品进行了测量，在疲劳加载次数较小时，正电子参数将随着疲劳加载次数的增加而增加；但当疲劳加载次数足够大时，金属样
本文介绍一个高精密脉冲比电路(或模拟除法器)的工作原理、性能及测试结果。当位置动态范围为0.05—1,能量动态范围为1—10V时,电路的积分非线性