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本文采用局部规则自组装方法得到了非晶SiC的网络结构，允许SiC晶体中存在结构缺陷和错位缺陷，因而可以迅速地建立合理的非晶SiC网络结构。本文以α-SiC晶体结构作为基础建立了对应的局部规则，组装SiC晶体网络结构。采用偏离的局部规则，即在局部规则扭转角度基础上引入一定的偏转角度，得到了非晶体网络结构。引入的偏转角度相当于微小的结构缺陷，最后会导致拓扑无序和化学无序。分析了结构的密度，并与分子动力学结果相对照，结果显示化学无序是导致SiC非晶化的直接原因，非晶化程度伴随着化学无序度的增加而增加，并出现密度下降，结构趋于拓扑无序等性质。