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Edge-Tunneling Behaviour of Anisotropic Quantum Hall States

来源 :2016年国际强关联电子体系大会(2016 International Conference on Strongly C | 被引量 : 0次 | 上传用户：cofelinz

【作者】

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【机构】

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Institute of Materials,China Academy of Engineering Physics

【出处】

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2016年国际强关联电子体系大会(2016 International Conference on Strongly C

【发表日期】

：

2016年3期

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