Bi、Se和Te在n/p型石墨烯上吸附的第一性原理研究

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lanshi2008

【摘要】

：

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi、Se 和Te 原子在完整和点缺陷(单空位、B 掺杂和N 掺杂)石墨烯上吸附的稳定结构,以及这些体系的电子性质和磁性质.研究结果表明：Bi、Se 吸附在石墨烯的桥位最稳定,Te 则吸附不稳定.Bi 吸附体系显示磁性,Se 吸附体系则不显示磁性.

【作者】

：

王宁戴宪起赵宝赵旭

【机构】

：

河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡 453007

【出处】

：

中国物理学会2013年秋季学术会议

【发表日期】

：

2013年11期

【关键词】

：

石墨烯拓扑绝缘体吸附掺杂 Bi Se Te

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