论文部分内容阅读
该文针对GaAs MESFET在微波频率的应用中的射频过驱动导致高栅电流密度现象，设计了TiAl栅和TiPtAu栅GaAs MESFET的高温正向大电流试验，通过对试验和试验样品的扫描电镜静态电压衬度像以及试验中的失效样品进行分析，确定了栅寄生并联电阻的退化是导致器件的跨导gm、饱和漏电流Is、夹断电压Vp等特性退化，甚至导致器件烧毁失效的主要原因。