能隙连续可调半导体合金纳米线单基片梯度生长及超宽波长可调谐纳米线激光器

• 作 者: 潘安练[1]周伟昌[1]刘瑞斌[2]邹炳锁[2]L.Eunice[3]C.Z.Ning[3]
• 机 构: 湖南大学微纳光电器件及应用教育部重点实验室,长沙 410082
• 出 处: 第七届全国光子学学术会议
• 发表日期: 2010年期

半导体材料和结构是光电器件的核心部件。半导体的组分和能隙决定了半导体的光电子学性质，从而决定了所构建的器件的性能或功能。由于常规半导体只拥有有限的能隙，无法实现能隙和物性的连续可调，从而大大限制半导体结构在多功能可调谐光电器件上的应用。
两种或多种能隙不同的半导体的合金化是实现能隙可调半导体结构的有效途径1-4。