【摘 要】
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在室温下,采用射频溅射法,在玻璃衬底和沉积了一层SiO2缓冲层的玻璃衬底上,用Al2O3:ZnO(Al2O3含量为2%wt)为靶材,制备了Al:ZnO(AZO)透明导电薄膜.分别采用X射线衍射、扫描电子
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,武汉,430070
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在室温下,采用射频溅射法,在玻璃衬底和沉积了一层SiO2缓冲层的玻璃衬底上,用Al2O3:ZnO(Al2O3含量为2%wt)为靶材,制备了Al:ZnO(AZO)透明导电薄膜.分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪测试和分析了薄膜的结构形貌和光电性能.实验结果表明,与在玻璃上直接镀AZO膜层的样品比较,SiO2缓冲层使AZO薄膜的(002)面对应的衍射峰半峰宽(FWHM)变窄,AZO薄膜的电阻率最低可达到10-4Ω.cm,可见光透过率达到82%.
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