石墨烯双势垒结构中的巨 Goos-H(a)nchen 位移

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：feylodiw

【摘要】

：

众所周知,一束光在电介质界面全反射时,会相对于入射位置有侧向移动.这一现象被称为Goos-H nchen (GH) 位移 [1].在局域应力或磁场存在的情况下,谷或自旋依赖的GH 位移被提议用作实现电子束的谷 [2] 或自旋 [3] 分离.我们注意到,要有效地实现这些分离器,不同谷或自旋的GH 位移的差值应该比电子束的纵向宽度大.在石墨烯单势垒结构中,如果不合适地选择结构参数,这一条件不能被满足.

【作者】

：

宋宇吴汉春郭永

【机构】

：

北京清华大学物理系,100084 都柏林圣三一学院,Dublin 2

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年9期

【关键词】

：

石墨烯巨Goos-H(a)nchen 移动电子束分离器准束缚态

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