P(VDF-TrFE)敏感膜悬空结构集成热释电线阵列研究

• 作 者: 李金华 李坤 陈王丽华 蔡忠龙
• 机 构: 江苏石油化工学院功能材料实验室(常州) 香港理工大学应用物理系及材料研究中心(香港)
• 出 处: 第六届全国敏感元件与传感器学术会议
• 发表日期: 1999年12期
• 关键词: 热释电传感器 敏感膜悬空结构 聚偏氟乙烯--三氟乙烯薄膜

用聚偏氟乙烯－三氟乙烯[P(VDF-TrFE)]薄膜作16×1集成热释电线性阵列的敏感膜，经退火和70KV/mm场强极化反测得其相对介电常数为12.6，介电损耗tanδ约0.01。为了降低热导和热容，提高探测器的探测灵敏度，用化学腐蚀法完全去除了线性阵列下方的硅衬底，形成悬空结构。