【摘 要】
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选用粒径为10μm的Si颗粒,采用挤压铸造方法制备了体积分数为65％的Sip/LDll(A1-12％Si)复合材料.Sip/LD11复合材料组织致密,颗粒分布均匀,材料中没观察到孔洞和缺陷;复合材料的
【机 构】
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哈尔滨工业大学金属基复合材料工程技术研究所,哈尔滨150001
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工程学部第五届学术会议
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选用粒径为10μm的Si颗粒,采用挤压铸造方法制备了体积分数为65％的Sip/LDll(A1-12％Si)复合材料.Sip/LD11复合材料组织致密,颗粒分布均匀,材料中没观察到孔洞和缺陷;复合材料的热膨胀系数随着温度的升高而增加,退火处理能够降低复合材料的热膨胀系数,20-50℃时复合材料的热膨胀系数为8.1×10-6/℃,满足电子封装用材料的要求;Sip/LD11复合材料铸造状态和热处理状态的热导率分别为91.1和94.7W/m·℃,优于Kovar(17W/m·℃)合金及Invar合金(10W/m·℃);复合材料的弯曲强度和比模量较高;可以采用化学镀方法在复合材料表面涂覆Ni层,镀层结合强度良好,并且以其做为底座的二极管满足器件的可靠性测试要求.
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