三元系ZrO<,2>-Y<,2>O<,3>-Yb<,2>O<,3>材料的低温电性能

• 作 者: 李英[1]唐子龙[2]
• 出 处: 第十一届全国高技术陶瓷学术年会
• 发表日期: 2000年期
• 关键词: ZrO& lt 2& gt 材料 电导率 缺陷缔合 复阻抗 Arrhenius公式

采用复阻抗技术对三元系ZrO-YO-YbO材料在573-873K内的离子电导率随组成的变化关系进行了研究，发现该材料的低温电导率随YbO含量的增加而降低。用Arrhenius公式对实验数据进行的分析表明，电导率降低的原因在于Yb与结构中氧空位之间的缔合比Y与氧空位之间的缔合更甚，阻碍了氧空位在低温下的定向迁移。