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如何可控层数且高效廉价地制备大面积、均匀的石墨烯薄膜，特别是单层/双层石墨烯薄膜，对基础研究和实际应用均是急待解决的问题1.我们通过对石墨烯生长基底的设计来控制石墨烯化学气相沉积(CVD)生长过程中碳原子的溶解析出过程，实现了高质量单层石墨烯的大面积可控生长(图1).以二元合金为基底，二元合金中的第一种组分为与石墨烯之间的晶格失配度小的表面催化金属(如镍)，具有较高的碳溶解度；同时，合金中另一组分金属(如钼)具有较高的熔点，在高温下会与碳形成稳定的碳化合物，可以起到固定额外碳源的作用，从原理上避免了多层石墨烯的生成.我们提出的方法条件简单、容错性强，无需苛刻控制升温速度、温度、压强、外加碳源种类及碳源量和降温速度，制备所得石墨烯为100％单层，分布均匀，重复性好，基底廉价易得，特别适合应用于工业化生产，尤其适用于单层或少层石墨烯的可控制备2.