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采用2μm GaInP/GaAs HBT工艺研制了GSM 900MHz制式终端应用功率放大器.放大器为3级,输出级匹配电路在PCB上实现,芯片尺寸:0.9×0.8 mm2.在3.2V、880~915 MHz下,达到:小信号增益(S21)35dB,输入驻波≤1.2,输出功率(Pout)≥33dBm,最大功率附加效率(PAE)≥52%.