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随着晶体管减小到量子尺度,传统半导体器件的小型化、集成化发展遇到了难以克服的瓶颈.而具有"铁磁/铁电/铁磁"三明治结构的多铁隧道结由于同时具有可被外场操控的铁磁序和铁电序,为提高器件的存储密度开辟了新的途径;另外,多铁隧道结还表现出界面磁电耦合效应,为探索室温强磁电耦合材料提供一种方案,从而备受国际研究者的关注.