【摘 要】
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对数字CMOS器件来说,当特征工艺尺寸小于90nm时,低能质子的直接电离作用导致的单粒子效应将不可忽视,需要进行低能质子单粒子效应实验研究.本文介绍质子加速器参数调整方案及
【机 构】
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粒子技术与辐射成像教育部重点实验室(清华大学) 100084
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
对数字CMOS器件来说,当特征工艺尺寸小于90nm时,低能质子的直接电离作用导致的单粒子效应将不可忽视,需要进行低能质子单粒子效应实验研究.本文介绍质子加速器参数调整方案及单粒子效应实验靶室的设计情况.清华大学微型脉冲强子源强流质子直线加速器已经出束,束流能量为3MeV,并将于2015年提高到13MeV,可为低能质子单粒子效应实验提供质子束流.实验要求加速器提供注量率为105～108p/(cm2·s)、能量在几百keV～13MeV之间可调、束流空间分布不均匀度<±10％的质子束.为满足该要求,需要在目前的加速器器件布局的基础上进行束流强度降低、束流降能和束斑横向分布均整,并开展相关测束工作.
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