【摘 要】
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本文介绍了两种输出分别为不可变和可变的CMOS带隙基准电路.采用PMOS和NMOS共源共栅电流镜代替经典结构中的电阻,给双极型晶体管提供偏置电流,降低了功耗,并且减小了沟道长度调制效应带来的误差；采用smic0.18um工艺,3.3V电源电压进行仿真.结果表明,在0～80℃温度范围内,两种CMOS带隙基准输出电压的温度系数分别为5×10-6/℃和3.1×10-5/℃;在电源电压大于2.5V时,电源
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100080 中国科学院微电
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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本文介绍了两种输出分别为不可变和可变的CMOS带隙基准电路.采用PMOS和NMOS共源共栅电流镜代替经典结构中的电阻,给双极型晶体管提供偏置电流,降低了功耗,并且减小了沟道长度调制效应带来的误差；采用smic0.18um工艺,3.3V电源电压进行仿真.结果表明,在0～80℃温度范围内,两种CMOS带隙基准输出电压的温度系数分别为5×10-6/℃和3.1×10-5/℃;在电源电压大于2.5V时,电源电压的变化对输出电压几乎没有影响.
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