【摘 要】
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重点研究了纳米SiC/LAS陶瓷复合材料介电常数与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
【出 处】
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2002年西部地区纳米技术与应用研讨会
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重点研究了纳米SiC/LAS陶瓷复合材料介电常数与纳米SiC含量、烧结温度以及碳界面层的关系.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;但在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,而对陶瓷介电常数的影响较大.复合材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.通过计算和分析认为,复合材料制备过程中纳米级的SiC促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时复合材料介电常数对温度的敏感性,并且使得复合材料介电常数的实测值与计算之间出现了很大的差异.
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