论文部分内容阅读
本文将Mg、F共掺SnO2，考察不同掺杂比例下对SnO2薄膜光电性质的影响，并探讨实现p-型非晶氧化物TFT的可行性。结果表明，采用Mg、F共掺杂SnO2，不仅能扩宽SnO2薄膜的光学带隙，同时随着掺杂量的增加，SnO2薄膜的电阻率不断增加，霍尔测试结果说明，自由电子浓度不断下降，当靶材摩尔比超过1：4时，薄膜呈p型导电特征。