薄膜太阳能电池在不同偏压下量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果。对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗口层区域杂质补偿情况，主结势垒高低，背势垒高度等，还可得出耗尽区宽度以及少子扩散长度等重要参数。本文通过理论分析给出了薄膜太阳能电池耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)与偏压量子效率的关系，提出了一种新的拟合耗尽区宽度(W)和少子扩散长度(Ln)的方法，探讨了偏压量子效率测
本文利用反应等离子体沉积技术(RPD)在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.用原子力电镜(AFM),霍尔测试系统,四探针,UV-Vis-NIR 分光光度计和椭偏仪(SE)对薄膜进行表征,研究了工作气压和退火处理对薄膜表面形貌和光电特性的影响.研究结果发现,工作气压决定薄膜生长速率,气压越高,生长速率越慢.而且低气压条件下制备的ITO 薄膜导电性优于高压条件下制备的薄膜.所得ITO
In recent years,dedication towards the commercialization of CIGS solar cellsbecame popular worldwide.However,fundamental obstacles to commercializationsuch as cell and module production yields,reprodu
从物理学的角度，简短讨论能量，熵等问题，并对于各种常见能源和未来能源的可持续性，安全性等做一些远距离思考。特别对于风能，水能，太阳能，核能等提出若干看法。
硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步，特别是铂阳的非晶硅和硅锗叠层电池技术已形成了2GW 以上的产能。本文介绍两类主要的硅基薄膜光伏技术，非晶硅和微晶硅基技术。对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电池技术，以及纳米硅与非晶硅合金太阳电池技术的特点进行了分析与对比。在此基础上，分析并讨论硅基薄膜太阳电池面临的困难与挑战，并提出硅基薄膜太阳电池进一步发展的技术方向。
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池光电转换效率高、性能稳定不衰退、相同功率电站其发电能力比晶体硅太阳电池高5 ％～10 ％.制备在廉价的柔性衬底上的CIGS 电池轻质、可卷曲折叠、不怕摔碰，其比功率也是其它太阳电池无法比拟的.CIGS 太阳电池所消耗的原材料低，全部生产可在一个车间内完成，是一种高性价比的太阳电池，具有很强的竞争优势具有广阔的市场前景.本文介绍CIGS 太阳电池的几个发展阶段，具有代
多晶硅片因为其低成本一直占据光伏市场的最大份额.但多晶硅片制成的多晶电池其效率一直低于CZ 单晶电池.实验室做出的最好的电池，多晶比单晶差约4.％.在大规模工业化生产中，除了制绒工艺有差别外，用同样的电池生产工艺，多晶电池比单晶差约1.5-1.7％.这种差别主要来源于表面制绒差异，多晶的晶体缺陷，如位错，晶界等等.多晶晶体的质量能否进一步提高？如何提高？答案是肯定的.通过深入的多晶缺陷研究发现，多