【摘 要】
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利用硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以
【机 构】
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北京市海淀区清华东路甲35 号 ,中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室100083
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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利用硫系元素在晶体硅带隙中引入的深能级在禁带中的位置离价带和导带都比较远,高浓度掺杂深能级杂质的材料禁带变窄效应不显著,高浓度深能级中心波函数相互交叠,载流子可以在深能级之间做共有化运动,在禁带中形成杂质能带的材料特性制备杂质带光伏太阳能电池.采用高能离子注入的方法在晶体硅衬底中掺入剂量为6×1015/cm2的硒元素,使掺杂浓度远远超过硒在硅中的杂质固溶度(3×1016/cm3).在氮气环境下,采用1000℃,快速热退火10s,消除离子注入引入的晶格损伤.在迎光面n 型掺杂层上蒸钛/钯/银电极,背光面p 型衬底上蒸镀铝电极.所制备电池开路电压为462mV,短路电流密度为22.4mA/cm2,填充因子为52.1％,电池效率为5.2％.
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