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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AlGaN具有较宽的直接带隙，且能以带间跃迁的方式获得高效的辐射复合，具有电击穿强度高、漏电流小、高电子漂移饱和速度、导热性能好、化学稳定性和抗辐射强度高等优点，在场发射平板显示器，场效应晶体管及紫外光探测器等方面具有良好的应用前景。本工作在氮化镓纳米薄膜及纳米线制备及理论预测的基础上，系统探索低维AlGaN材料场发射性能增强机制及方法。利用激光脉冲沉积系统，进行了AlGaN混合相的制备，并研究了其场发射性能。