第二型带间级联探测器生长及器件特性

• 作 者: 徐志成 陈建新 周易 王芳芳 白治中 许佳佳 金博睿 徐庆庆 何力
• 机 构: 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
• 出 处: 第十二届全国分子束外延学术会议
• 发表日期: 2017年期
• 关键词: 级联 红外焦平面探测器 生长 红外探测技术 高工作温度 分子束外延技术 器件制备 红外探测器

　　高工作温度(HOT)型红外焦平面探测技术将是下一代红外探测技术的重要发展 方向之一，有着非常广阔的应用前景.然而，对于一般光伏型红外焦平面探测器而言，由于 其窄禁带特性及受 PN 结温度效应的影响，严重限制了其工作温度的提高.分子束外延技术 允许人们制备各类新型量子结构材料与器件，从而实现传统 PN 结器件无法实现的功能，如 带间级联红外探测器(ICIP).ICIP 独特的能带结构排列使得其在 HOT 型探测器件制备方面 展现出了巨大优势.