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金属有机沉积法制备钇钡铜氧超导膜具有设备简单、组分易于控制及易于大面积批量制备等优势，因而成为第二代高温超导涂层导体超导层主要的制备方法之一。在提高产业化效率方面，该方法面临的两个主要挑战是提高胶体膜低温热解的速率和提高热解膜高温晶化的速率。本工作主要针对高温晶化过程，从理论和实验两方面研究了影响反应速率的关键因素及其作用规律。对反应速率影响最大的是HF的浓度和反应温度，其次才是水分压。可以通过晶化预处理、调整抽气速率、提高温度等手段显著提高长带的生长速度。最终将晶化速率从常压的90分钟/微米，降低到～10分钟/微米，并已成功应用于连续化长带的批量制备。这些因素同时影响着a轴和c轴的成核，例如在相对高的温度有利于c轴晶粒生长。