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本文在研究分析驰豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系。分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低。该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考。