长波HgCdTe光导探测器在激光辐照后的电学参数的变化

来源 :第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：assofour

【摘要】

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对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变动率激光辐照,测量了辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法与实验结果进行拟合,结果表明辐

【作者】

：

朱克学;张赟;李向阳;龚海梅;方家熊;

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室(上海)

【出处】

：

第十五届全国红外科学技术交流会暨全国光电技术学术交流会

【发表日期】

：

2001年期

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对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变动率激光辐照,测量了辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法与实验结果进行拟合,结果表明辐照HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到探测器性能突变后,器件的电子迁移率与电子浓度均有一定程度减小.认为这可能是由于激光辐照的热效应使N型HgCdTe光导器件的表面及体内均产生的一定的变化而导致的.

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