单晶FeMgZnOFe磁性隧道结中势垒带宽的调控

来源 :第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pkuericz

【摘要】

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MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应

【作者】

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李大来马勤礼王守国杨光刘家龙姜俊魏红祥韩秀峰

【机构】

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中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100190

【出处】

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

【发表日期】

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2014年12期

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MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一.铅锌矿结构的ZnO薄膜的带隙宽度为3.4eV,若被用做势垒层来制备磁性隧道结,应该可以大幅度降低RA乘积,但它与立方结构的铁磁层电极(如Fe、FeCo薄膜)不能形成外延生长从而无法制备单晶外延的磁性隧道结.

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