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该文给出了编织层屏蔽电缆的理论计算模型以及在EMP实验和在X光辐照实验中应用情况。电缆在外电场或X光辐照的作用下，屏蔽层表面会产生电流，由于编织屏蔽电缆的屏蔽效能不可能无限高，在电缆芯线上会有激发电流产生，干扰甚至湮没正常信号。需要研究干扰电流的激励机制和电缆的屏蔽效能「梦母龅氖嵌痰缋绿跫碌睦砺奂扑闱榭觥Ｕ馐笨梢越⑵鸺懿问牡缋录扑隳Ｐ停帘尾惚砻嬖谕饨缂だ虏缌骰虻缪剐藕拧Ｐ鞠哂肫帘尾阒浣拥刃ё杩筞l。屏蔽层信号对芯线的耦合可以用转移阻抗ZT或导纳表示。屏蔽层电流与芯线电压之间的关系服从有源电报方程，负载上电流与电压之间服从欧姆定律。模型的分析与建立在复频域进行，计算结果要求为时域信号，输入的激励信号经傅立时变换转换到频域，求出厮蔽层电流和转移阻抗后，解电报方程即可解出芯线上的电流，乘k负载阻抗即得到负载上的电压降。由计算得到的结果为复频域信号，再由傅立叶逆变换行到时域信号。文章中给出了解蔽层电流到芯线电压的转移阻抗在双对数坐标下的频率响应曲线。一般编织屏蔽电缆的转移阻抗随频率上升而增大。研究人员对编织屏蔽电缆在电场作用下的EMI，响应作了计算，电缆平行铺设在无穷大导体表脑电缆的屏蔽层与导体相连接。电缆芯线一端悬空，另一端接600O负载，计算得到了电缆芯线在于i电场与垂直电场作用下的激励信号，与实测信号在幅度和波形上相一致。另一项工作为电缆受X射线照射产生SGEMP电流的理论计算，电缆一一端悬浮在X光环境中，另一端芯线与屏蔽层之间接等效负载ZL，屏蔽层电流由调光激励，可以通过示波器测量到。在低注量段。不考虑对地分布参数的影响，主要考虑外屏蔽层的电子发射：其波形大致与X光波形相同。现有测量系统只能记录电缆皮电沈（约百毫安量级），耦合进芯线的电压约力毫伏至几十毫伏量级。测量信噪比小，l线数据必须通过计算获得。根据公式。对芯线耦合电流进行了计算。直接将所测到的屏蔽层电流作为输入源，计算芯线上感应的电压和电流。计算的感应电压量级为十至百毫伏，等效负载上的感应电流几到几十微安量级。文章给出了转移阻抗、屏蔽层电流和芯线电压与频率的关系。可以看到，DPF-X光源的主频率并不高，在几十兆赫兹以下，这时转移阻抗值并不高，芯线电流耦合较小，随频率增高，由曲线知其芯线电流耦合将增大。如果该电缆未经其他屏蔽措施，实际使用时调光照射产生的感应电流是很大的。