【摘 要】
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为制备光衰减器的关键部件光衰减片,采用物理气相沉积法(PVD)中真空蒸发镀膜技术,利用DM-300B型镀膜机,在真空度为5×10-3～8×10-3Pa、蒸镀电压为100～200V的实验条件下,用镍粉和铬粉制备出Ni-Cr/SiO2玻璃复合薄膜式光衰减片.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的研究方法,研究不同轰击电压、旋转电压、烘烤电压和蒸镀时间对所镀材料的晶型、膜层厚度、膜层表观形貌、膜
【机 构】
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哈尔滨理工大学材料学院,哈尔滨,150040
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为制备光衰减器的关键部件光衰减片,采用物理气相沉积法(PVD)中真空蒸发镀膜技术,利用DM-300B型镀膜机,在真空度为5×10-3～8×10-3Pa、蒸镀电压为100～200V的实验条件下,用镍粉和铬粉制备出Ni-Cr/SiO2玻璃复合薄膜式光衰减片.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的研究方法,研究不同轰击电压、旋转电压、烘烤电压和蒸镀时间对所镀材料的晶型、膜层厚度、膜层表观形貌、膜层与基体的结合程度和膜层化学成分的影响.结果表明:在轰击电压为180～200V、旋转电压为30V、烘烤电压为120V时,膜层的表面最光滑,缺陷最少;工艺条件对晶型没有影响;膜层组织结构为纤维结构;膜材料与基体形成复合材料从而附着性好;SiO2玻璃基体在真空室顶部任何位置对膜层性质没有影响.
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