nc-Si:H薄膜中硅自然量子点生长机制的研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ponny2006

【摘要】

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用PECVD技术制备了nc-Si:H薄膜.用HRTEM、XRD、RAMAN谱等手段研究了nc-Si:H薄膜的微结构;用光电测试手段研究了它的物理性质.证明nc-Si:H薄膜(本征、掺P、掺B)中存在随机分布

【作者】

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韦文生王天民王聪

【机构】

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北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心(北京)

【出处】

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第四届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

薄膜自然量子点 Quantum Dots 物理性质随机分布生长机制测试手段微结构证明纳米晶粒技术光电掺硼掺磷

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用PECVD技术制备了nc-Si:H薄膜.用HRTEM、XRD、RAMAN谱等手段研究了nc-Si:H薄膜的微结构;用光电测试手段研究了它的物理性质.证明nc-Si:H薄膜(本征、掺P、掺B)中存在随机分布的纳米Si晶粒,称为硅自然量子点(Si-Natural Quantum Dots,简称Si-NQD).本文尝试揭示nc-Si:H薄膜中Si-NQD的生长机制,并阐明掺磷使nc-Si:H薄膜中的Si-DQD变小而掺硼使Si-NQD变大的原因.

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