InSb在高压下的状态方程、电学性质与金属化相变

• 作 者: 鲍忠兴 柳翟霞 陈诺夫
• 机 构: 中国科学院物理研究所
• 出 处: 第十届全国高压学术讨论会
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 高压 状态方程 电学性质 金属化 金属相变 室温下 单晶 金刚石压砧 测量装置 压力导数 体弹模量 实验 方法研究 多晶 电阻 电容测量 圆筒式 活塞 参数

在活塞-圆筒式p-V关系测量装置上研究了单晶InSb在室温下、4.5GPa内的p-V关系实验结果发现它在2.4GPa左右发生了相变。给出了它在相变前后的状态方程、格临爱森参数γ0、体弹模量B0和B0的压力导数B0。同时，还在金刚石压砧装置上，采用电阻和电容测量方法研究了单晶和多晶InSb在室温下，10GPa内的电阻、电容和压力的关系。实验结果表明，单晶和多晶InSb分别在3.4GPa和2.2GPa左右发生了金属相变。