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注入顺序对H、O离子注入单晶Si损伤形成及热演变的影响
【机 构】
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天津职业技术师范大学理学院,天津,300222
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
Great attentions have been payed to the research of semiconductor spintronics to fabricate novel spin-based devices.The advantages of these new devices would be nonvolatility,increased data processing