离子束辅助沉积立方氧化硼的试验研究

• 作 者: 谭俊 张平 蔡志海 王晓晴 唐云
• 机 构: 中国机械工程学会表面工程研究所(北京)
• 出 处: '2001全国荷电粒子源粒子束学术会议
• 发表日期: 2001年期
• 关键词: 离子束辅助沉积 氧化硼 立方氮化硼薄膜 气含量 辅助能量 光电子能谱 束流 红外光谱 沉积法 真空 运用 技术 果指 硅片 参数

本文运用离子束辅助沉积法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,主要研究了辅助能量、辅助束流及辅助束中氮气含量等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响.用红外光谱(FTIR)、及光电子能谱(XPS)分析技术对得到的c-BN膜进行了分析.结果指出:①合适的离子辅助能量,能够获得c-BN含量高的薄膜.②膜中c-BN的含量随真空中N<,2>含量提高而增加.③辅助束流对薄膜的形成影响不明显.