【摘 要】
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四面体非晶碳膜(ta-C)具有超高硬度(~70GPa)、极光滑表面(Ra<3nm)、超低摩擦系数(COF<0.15)等优点,因此在机械、微机电系统中得到广泛应用.但由于其高残余应力导致厚膜难以制备,无法满足薄膜在机械系统应用中长寿命服役需求.本文采用磁过滤阴极真空电弧技术制备了ta-C薄膜,并比较了不同基体刻蚀工艺以及薄膜厚度对其结构与性能的影响.结果 表明:与辉光刻蚀相比,弧光刻蚀有利于制备较厚
【机 构】
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中国科学院海洋新材料与应用技术重点实验室、浙江省海洋材料与防护技术重点实验室,中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波 315201;上海大学 材料科学与工程学院,上海 200444
【出 处】
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第十一届全国表面工程大会暨第八届全国青年表面工程学术会议
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四面体非晶碳膜(ta-C)具有超高硬度(~70GPa)、极光滑表面(Ra<3nm)、超低摩擦系数(COF<0.15)等优点,因此在机械、微机电系统中得到广泛应用.但由于其高残余应力导致厚膜难以制备,无法满足薄膜在机械系统应用中长寿命服役需求.本文采用磁过滤阴极真空电弧技术制备了ta-C薄膜,并比较了不同基体刻蚀工艺以及薄膜厚度对其结构与性能的影响.结果 表明:与辉光刻蚀相比,弧光刻蚀有利于制备较厚的ta-C薄膜,且薄膜具有较低的残余应力(降低33%),较好的光学性能以及更高的sp3含量(It/Ig增加了58.5%).同时,在弧光刻蚀工艺基础上制备的不同厚度的ta-C薄膜,其sp3含量、硬度以及摩擦学性能随厚度的增加而增加,而当薄膜厚度到达一定值时,薄膜sp3含量及力学性能随厚度的增加而保持不变.
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