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Auger recombination rates in InAsSbP/InAs heterostructure mid-IR LEDs
【机 构】
:
Ioffe Physical-Technical Institute RAS,26 Polytekhnicheskaya,St.Petersburg 194021,Russian Federation
【出 处】
:
第十届中红外光电子材料与器件国际会议
【发表日期】
:
2010年期
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