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本文采单槽法在AAO模板中电沉积Cu/Ni多层纳米线，对多层纳米线的形貌进行了表征，考察了对多层纳米线巨磁电阻性能产生影响约因素。
单槽电沉积法制备CuNi纳米多层线及其巨磁电阻研究
【摘 要】
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本文采单槽法在AAO模板中电沉积Cu/Ni多层纳米线，对多层纳米线的形貌进行了表征，考察了对多层纳米线巨磁电阻性能产生影响约因素。
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072
【出 处】
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第十四次全国电化学会议
【发表日期】
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2007年11期
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